В Институте физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН выяснили, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах. У мультиграфена большая работа выхода для электронов.
Источник
Комментариев нет:
Отправить комментарий